图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NSS12601CF8T1G |
| 文档 |
Copper Wire 20/Jul/2010 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Wire Change for ChipFet Pkg 20/Jul/2010 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 6A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 12V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 120mV @ 400mA, 4A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 200 @ 1A, 2V |
| 功率 - 最大 | 830mW |
| 频率转换 | 140MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SMD, Flat Lead |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8Chip FET |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 8 |
| 最大集电极发射极电压 | 12 V |
| 集电极最大直流电流 | 6 A |
| 最小直流电流增益 | 200@10mA@2V|200@500mA@2V|200@1A@2V|200@2A@2V|200@3A@2V |
| 最大工作频率 | 140(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.01@0.01A@0.1A|0.05@0.1A@1A|0.06@0.01A@1A|0.07@0.02A@2A|0.11@0.03A@3A|0.12@0.4A@4A V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1400 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 6 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | Chip FET |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 1400 |
| 最大基地发射极电压 | 6 |
| Maximum Transition Frequency | 140(Min) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 12 |
| 供应商封装形式 | Chip FET |
| 最大集电极发射极电压 | 12 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 6A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 140MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 120mV @ 400mA, 4A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 12V |
| 供应商设备封装 | ChipFET™ |
| 功率 - 最大 | 830mW |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 200 @ 1A, 2V |
| 其他名称 | NSS12601CF8T1GOSTR |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 增益带宽产品fT | 140 MHz |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 200 at 10 mA at 2 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 12 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 12 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 频率 - 跃迁 | 140MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 120mV @ 400mA, 4A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 1A, 2V |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| 功率 - 最大值 | 830mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 6A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 12V |
| 系列 | NSS12601CF8 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 身高 | 1.05 mm |
| 长度 | 3.05 mm |
| Pd - Power Dissipation | 1400 mW |
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